日期:2012-02-09 17:13
，同时也为后续工序提供了一个洁净、活性高的表面。其工艺条件如下：
CuCN ---------------l5～35 g/L
KCN ----------------25～55 g/L
游离KCN -----------8～10 g/L
Jk -------------1～3 A/dm2
-------------50～60 ℃
阳极 ------------电解铜
2.4预镀银
由于银韵电极较负，一般的金属会将银离子置换出来，这样的镀层结合力差，会导致在后续的芯片安装及金丝焊接过程中出现气泡。为了防止此现象，除了带电入槽外，还可使用预镀银工艺，它可以在镀层表面形成一层致密的银保护层，同时起打底作用。实际生产中，为了减少高速选择