日期:2012-05-18 14:42
低了人们对它的热情。多晶硅薄膜能够克服以上几种薄膜的缺点，从而成为当前研究的重点和未来发展的趋势。
目前，多晶硅薄膜常用的制备方法有等离子体增强化学气相沉积，热丝化学气相沉积，准分子激光晶化，固相晶化，快速热处理等。现有研究采用真空蒸镀法制备非晶薄膜后经铝诱导晶化得到多晶硅薄膜。相比其它方法，该方法具有工艺简单，晶化温度较低，晶化时间较短，薄膜晶化率较高，晶粒尺寸较大等特点。通过原子力显微镜、拉曼光谱等分析手段深入研究了衬底距离、衬底温度、退火温度等对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布以及晶化率的