日期:2012-05-18 14:42
影响。
实验原料为纯度99.99%的多晶硅粉末。电阻蒸发源为高纯度的石墨片，尺寸为80mm5.8mm1.7mm。采用普通玻璃为衬底，先用去离子水清洗，再分别用丙酮、无水乙醇超声清洗5min，最后用去离子水清洗干净，表面皿中烘干。用DM-450A型真空镀膜机在玻璃衬底表面蒸镀一层非晶硅薄膜，并在非晶硅薄膜表面蒸镀1层相对较薄的铝膜，通过调节不同的工艺参数制备出若干样品。将样品放入箱式电阻炉中，在300-500℃下真空退火一定时间。将样品置于标准铝腐蚀液中腐蚀以去除表面残留的铝。
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜，