铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究 - 电镀技术

铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究
日期:2012-05-18 14:42
再通过铝诱导晶化的方法可以制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5-5m、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。衬底距离对薄膜的表面形貌有明显影响，适中的衬底距离得到的薄膜晶粒分布均匀、表面平整度好，薄膜厚度较大。衬底温度和退火温度对薄膜的晶化率影响显著，在实验条件下，薄膜的晶化率随着衬底温度的提高而增大;随着退火温度的提高，薄膜的晶化率增大，当温度达到500℃时晶化率达到最大值，退火温度进一步提高，薄膜的晶化率反而降低。