日期:2012-06-08 09:55
季春花，凌惠琴，曹海勇，李明，毛大立
(上海交通大学材料科学与工程学院，上海200240)
摘要：研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)2 40 g/L、甲基磺酸60 g/L及Cl-50 mg/L组成)中氯离子的作用机理。采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果，并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响。结果表明：在深孔内扩散控制条件下，Cl-对铜沉积有明显的加速作用;在表面非扩散控制区域，尤其是高电流密度区，Cl-具有一定的抑制效果。因此，