日期:2012-06-08 09:55
作用。对比TSV孔内、孔口的情况不难看出，Cl-的存在将有利于过电位较低、扩散影响较大的深孔内镀铜，会提高深孔内的沉积速率，而且反过来抑制孔口和孔外Cu2+的还原，降低孔外的镀铜速率。Cl-的这种孔内加速，孔口抑制的效果，有利于提高甲基磺酸铜镀液的TSV填充效果。
3.4 Cl-对实际电镀的作用效果
为了验证以上分析，考察了有无Cl-的实际电镀效果，实验结果见图4。
从图4可以直观看到，Cl-的存在对甲基磺酸铜镀液的电镀填充效果影响巨大。无Cl-存在时，虽然在孔的底部表现出一定的加速效果，但沉积速率缓慢，并且主要表