日期:2012-06-08 09:55
现出等壁生长的特点。在添加了Cl-之后，沉积速率显著提高，在同样的电流密度和电镀时间下，快速实现了无缺陷全填充。该结果进一步证明了上述分析的正确性，即微量Cl-在甲基磺酸铜镀液中的存在，对TSV铜互连深孔电镀具有很好的加速填充作用。
4结论
本文系统研究了TSV三维电子封装垂直铜互连用甲基磺酸铜高速镀液中Cl-的影响及作用，获得如下结论：
(1)除甲基磺酸根与Cu2+配位之外，Cl-也参与配位形成氯桥。氯桥可以使Cu2+的未成对电子离域，从而加快Cu2+的电子转移，使Cu2+还原加快。而Cl-的加速作用主要体现在加速Cu2+/Cu