硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用
日期:2012-06-08 09:55
u+步骤的还原反应中。
　　(2)Cl-对受扩散控制的低转速、低过电位区表现为加速作用，对非扩散控制的高转速、高过电位区呈现出一定的抑制效果。因此，Cl-的存在将有利于改善受扩散影响较大的TSV深孔内电镀，提高填充速率。
　　(3)通过TSV深孔的实际电镀对比，进一步证明Cl-的存在对甲基磺酸铜镀液的电镀填充效果影响巨大。无Cl-存在时沉积速率缓慢，填充效果不明显，主要表现为等壁生长，而在Cl-存在下沉积速率显著提高，可快速实现无缺陷全填充。
　　参考文献：略

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