日期:2012-06-08 09:55
Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果，提高填充速率。
关键词：硅通孔;铜互连;电镀;氯离子;甲基磺酸盐
中图分类号：TQ153.14文献标志码：A
文章编号：1004227X(2012)02000604
1前言
随着信息化社会的发展，人们希望电子产品具有更强的功能、更小的体积、更低的价格。但半导体特征尺寸目前已接近物理极限，以往通过减小芯片特征尺寸的方法已无法满足上述需求。基于TSV(Through-Silicon Via，硅通孔)垂直互连的三维叠层封装为业界提供了一种全新的途径。该技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最