日期:2012-06-08 09:55
小，能大大提高信号传输速度，降低功耗[1-2]。TSV深孔镀铜技术是TSV三维封装能否顺利实现产业化的关键技术之一，但由于深孔镀铜技术难度大、成本高(约占整个TSV三维封装成本的40%)、沉积速率慢，很多问题亟待解决，因此成为当前三维电子封装技术的一个重要研究热点。
深孔镀铜技术与普通镀铜技术有很大不同，其难点在于必须保证铜在深孔内优先沉积，在很短的时间内完成无缝隙、无孔洞填充，即达到所谓超填充效果[3]。超填充是指孔底的沉积速率比孔口的快，而只有在电镀液中添加多种特殊的添加剂才会形成超填充镀铜。通常在镀液中添加