一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法
日期:2012-06-20 16:57
得到电解液;(3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极，电沉积得到碘化银半导体薄膜，相对饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1 ~ 2.5 V，电沉积温度25 ~ 80 C。本发明通过电沉积一步合成具有一定取向和晶形的碘化银，并且设备简单、成本低廉，反应条件要求较低。

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