日期:2012-07-31 15:41
了一种微靶电镀专用新型的超声波电镀装置,为进一步的研究打下了基础。
通过系列实验研究,开发了新的屏蔽片和屏蔽筒电镀制备工艺。针对物理实验对屏蔽片和屏蔽筒的质量要求,选择了合适的电镀镍配方和工艺参数;对电源参数进行了优化,包括电流波形和电流密度,即屏蔽片电镀电源波形为直流,电流密度2-5mA/cm2,屏蔽筒电镀采用直流电镀,电流密度最佳区间为15-30mA/cm2;分析得出屏蔽片电镀初期发黑的原因为基底过蚀,确定最佳酸蚀时间为10-20s,且电镀初期必须施加搅拌;采用体积比3：1的硝酸和氢氟酸混合溶液浸蚀的方法提高了屏蔽片和铝基底之间的结