日期:2012-08-02 16:49
公开日 20090312
发明人 HINO E, KUMAGAI M
地址 Flynn Thiel Boutell Tanis, P.C., 2026 Rambling Road, Kalamazoo, MI 49008-1631, US
目的是提供一种化学镀镍溶液，用于在由多集成电路芯片组成的硅晶片上采用化学镀的方法沉积膜厚均匀的镍镀层，以便作为金属隆起焊盘和焊料隆起焊盘的底阻挡金属。该化学镀镍溶液含有水溶性镍盐、还原剂、配位剂和pH缓冲剂，其中铅离子、钴离子和含硫化合物的含量均为0.01 ~ 1 ppm。