日期:2012-08-10 15:23
摘要：钛酸锶钡铁电薄膜因具有良好的铁电、介电、压电和热释电等性能而受到重视，这些性质使它们可应用于与硅电路集成的动态随机存储器。本论文的工作主要研究了利用脉冲激光法，在硅基片上沉积多晶的钛酸锶钡铁电多层膜，使其介电常数增强的同时，保持较低的介电损耗。通过对多层膜结构和性质的系统研究，分析了多晶的多层膜中介电增强效应的形成机理。
论文的研究结果如下： (1)周期厚度对钛酸锶钡多层膜的影响 采用脉冲激光法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积了多晶的BaTiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3、BaTiO_3/Ba_(0.2)Sr_(0.8)TiO_3、BaTi