硅基多晶钛酸锶钡铁电多层膜的结构与介电增强效应
日期:2012-08-10 15:23
数的增强,该介电常数增强的现象与Maxwell-Wagner效应相关。 (2)后处理对钛酸锶钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上,沉积了单层厚度为48nm的多晶BaTiO_3/Ba_(0.2)Sr_(0.8)TiO_3多层膜,通过对薄膜进行热后处理,研究了其介电性质。研究发现,薄膜经过热处理后,相对介电常数明显增大,而介电损耗变化不大。经过2.5小 硅基多晶钦酸铭钡铁电多层膜的结构与介电增强效应 中文摘要 时后处理的多层膜,其相对介电常数高达891,而介电损耗仅为0.038。作者采用MW 模型对实验数据进行了解释,结果表明,在合理的参数下,
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