金属硒化物薄膜的电沉积制备及基础理论研究
日期:2012-08-10 15:29
上对CoSe、Sb2Se3和Cu(In,Ga)Se2这三种金属硒化物的电沉积工艺、机理及材料性能进行系统研究;最后通过对电沉积过程进行合理假设,建立了具有普遍意义、可实现薄膜成分预测的金属硒化物电沉积动力学模型,并将其应用于Sb2Se3和CuInSe2电沉积研究。
论文所得创新性结果如下: (1)阐释了金属硒化物薄膜电沉积的热力学普遍规律。所绘制的金属-硒-水系电势-pH原则图形和若干典型金属-硒-水系的电势-pH图,可用于金属硒化物电沉积的可行性分析以及热力学沉积条件的确定;金属硒化物的电沉积通常应在弱酸(pH=1~3)条件下进行,一般通过Kroger机制实现
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