日期:2012-08-10 15:29
系数高达到105cm-1,直接带隙宽度为1.530.01eV,适合用于太阳电池吸收层。电沉积CoSe薄膜的体相成分为富硒贫钴,导电类型为p型;而表面成分为贫硒富钻,导电类型为n型,这一电学特征有利于形成掩埋结,减少光生载流子的界面复合。 (4)揭示了Sb2Se3薄膜的电沉积机理并优化建立了电沉积工艺。Sb2Se3薄膜电沉积中,Se先沉积,Sb后沉积,先沉积的Se会诱导Sb的还原沉积;同样,沉积的Sb又会进一步促进亚硒酸还原为Se。贫Se富Sb薄膜的形貌比富Se贫Sb薄膜的形貌要好,在沉积电势为-0.55V (vs SCE)、沉积温度为25℃和pH值为2.0时可制备出形貌良好的贫硒Sb2Se