日期:2012-08-10 15:29
e3薄膜。热处理后,电沉积薄膜的成分和带隙宽度变化不大,而形貌变得更为致密,且结晶质量明显改善,为呈(212)择优取向的斜方晶结构Sb2Se3相。热处理会使得电沉积薄膜的电学性质恶化,表现为光电流和光电压减小以及平带电势负移(p型),主要原因是热处理后薄膜中产生了高电活性的金属Sb二次相,成为光生载流子的复合中心。 (5)揭示了电沉积Cu(In,Ga)Se2薄膜时In和Ga的并入机理、络合剂氨基磺酸钠的作用机制以及沉积工艺参数对沉积薄膜性能的影响规律。In可通过In3+受Cu-Se相的诱导而发生电化学还原并最终生成CuInSe2、与H2Se反应生成In2Se3以及直