金属硒化物薄膜的电沉积制备及基础理论研究
日期:2012-08-10 15:29
接电化学还原为In这三种途径并入固相;Ga则通过Ga3+与H2Se反应生成Ga2Se3或者发生水解以Ga2O3/Ga(OH)3的形式进入薄膜。氨基磺酸钠可有效络合铜离子和亚铜离子,阻碍亚硒酸的还原,从而抑制铜硒相的形成。沉积电势、主盐浓度、pH和沉积温度均可显著影响薄膜的成分与形貌;在硫化氢与氩气混合气氛下热处理可移除薄膜中的氧并提高薄膜带隙宽度,且不会导致形貌的恶化。 (6)建立了具有普遍意义的金属硒化物电沉积动力学模型,并将其应用于电沉积二元Sb2Se3和三元CuInSe2薄膜的成分预测与动力学行为分析。模型实现了电解液中不同离子摩尔比下电沉积S
7/8 下一页 上一页 首页 尾页
返回 |  刷新 |  WAP首页 |  网页版  | 登录
07/08 17:36