日期:2012-08-10 16:16
公开日 20090319
发明人 HUANG Q, KELLOCK A J, SHAO X-Y, VENKATASAMY V
受让人 International Business Machines Corporation
在用于半导体或相变设备的基底结构上的曝露区域电沉积锗化合物材料的方法，包括如下步骤：(1)将至少一种锗盐以及至少一种除锗以外的元素盐溶于水，制成镀液;(2)获得具有洁净表面的基底;(3)将基底浸于上述溶液中;(4)在基底和阳极之间施以电压，使锗化合物材电镀在基底上。