日期:2012-08-14 10:44
件以及SiC颗粒对铜电沉积结晶行为的影响。其主要试验结论如下: 1)Cu-SiC复合沉积的初步试验表明:随着电流密度的增加,镀层中的SiC含量仅略有增大。在镀液中添加少量的添加剂,尤其是在低电流密度条件下将有利于提高镀层中粉体的含量;在低电流密度条件下(1 A/dm~2),SiC粉体在镀层中的含量可达14.07%wt。试验还发现:SiC粉体若先经NaOH溶液浸泡处理,能够有效提高镀层中粉体的复合含量。 2)随镀层中SiC粉体的嵌入量增加,复合镀层的硬度明显提高;SiC粉体在镀层中含量为14.07%wt时,复合镀层硬度达206.98 Hv。 3)循环伏安曲线与计时安培曲线表明