日期:2012-08-14 10:44
,镀液中添加SiC粉体会阻碍铜的结晶沉积过程。在阶跃电位70 mV左右时,Cu-SiC镀液体系的电化学阻抗谱表现为一个略为压偏的半圆弧伴随在低频段出现感抗弧。随着过电位增加,弧半径逐渐减小。阻抗-电位曲线表明,在正电位约90 mV时,Cu-SiC镀液体系的阻抗值明显降低,反映铜结晶沉积开始发生。复合沉积过程仅对应一个时间常数。
6、Cu-ZrW_2O_8新型复合镀层材料制备。论文第八章首先利用两步固相烧结法制备了钨酸锆粉体。在此基础上,尝试借助电沉积法制备高热导、低膨胀特殊复合材料Cu-ZrW_2O_8的工艺条件,并针对该方法的可行性进行分析与展望。