日期:2012-08-14 10:44
形核/生长模式以及电沉积还原反应过程的影响,利用扫描电镜观察了电结晶初期的形态。主要结论有如下几点: 1)电化学试验表明:Ni-SiC镀液体系电沉积的起始电位约为-700mV;在较大阶跃电位下(-770～-830 mV),Ni-SiC镀液体系电沉积基本满足Scharifker-Hills三维瞬时形核机制。随阶跃电位负移,Ni-SiC镀液体系电沉积结晶成核孕育时间逐渐缩短,且明显短于纯镍电结晶成核时间,反映SiC微粒在阴极表面能促进镍的电结晶成核;交流阻抗谱分析发现,SiC微粒能降低电沉积过程中的电荷转移电阻。但是,SiC微粒延迟沉积起峰电位,甚至降低电结晶峰值电流。 2)