日期:2012-08-14 10:53
对应CuCl的还原。在3.5%NaCl溶液中浸泡后生成腐蚀产物Cu2O,在循环伏安曲线的较低电压下出现第二个还原峰C0,阻抗谱上出现吸附电阻和吸附电容,而且延长浸泡时间第二个还原峰C0电流密度和吸附电阻随之增大。另一方面,铜-石墨复合材料的电荷转移电阻高于铜的对应值。随着制备电沉积铜的电流密度增大,具有(220)晶面择优取向的电沉积铜腐蚀性能优于(200)晶面择优取向的电沉积铜。铜的腐蚀过程首先在晶界处以点蚀形式出现,随后是晶界和晶粒本身的腐蚀。铜-石墨复合材料的腐蚀在晶界或缺陷处开始,发生点蚀。总之,在同样的腐蚀条件下,铜-石墨复合材