日期:2012-08-14 15:32
)研究了NO3-离子对硅烷so1-gel薄膜电沉积的影响,发现合适浓度的NO3-可以通过在阴极还原成NO2-同时生成OH-以提高阴极局部pH值,从而促进硅烷sol-gel薄膜的电沉积,使所得膜更为致密,厚度增加,且耐蚀性能上升;而过高浓度的NO3-则可能在电沉积过程中过催化硅烷在沉积液中的缩聚而导致所得膜耐蚀性能下降。 (2)应用电沉积方法制备了硅烷/纳米SiO2复合薄膜,发现只需很少量的纳米SiO2(70 mg/L)即可使铝表面硅烷膜大大增厚并提高膜的耐蚀性能,而过量的纳米SiO2会使硅烷膜疏松多孔从而降低其耐蚀性能。在合适电位下电沉积可以通过阴极局部碱化进一