日期:2012-08-28 15:59
频向低频范围内扫描。所有阻抗测试均在腐蚀电位下进行。极化曲线测试选择在-0.8V~0.2V范围内，以0.01V/s的速率从负电位向正电位扫描。
2 结果与讨论
2.1 L-Cys-Cu电极制备的理论基础与膜质量
含巯基的化合物能够通过Cu-S键结合到铜表面，并且通过分子自组装形成一层有序的单分子层。而L-半胱氨酸分子中含有巯基，因此半胱氨酸分子可以在铜电极的表面形成一层有序的单分子修饰层，其步骤如方程式所示[10]：
Cu+HSCH2CH(NH2)COOHCu-SCH2CH(NH2)COOH +1/2H2
紧密排列的自组装膜能阻碍多种电极过程的发生，如金属电极的氧化、金属离子的欠