日期:2012-08-28 15:59
修饰后的铜电极在-0.8V~0.8V的扫描范围内，所有自组装膜的电极的氧化还原电对峰形较之空白电极都变钝，氧化峰电流和还原峰电流均减小[12]，可见半胱氨酸均已在铜电极上成膜。它们都对铜电极的腐蚀具有不同程度的阻滞作用。同时我们也看到了还原峰电流不尽相同，
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说明成膜程度不同，即覆盖度不同，10-7mol/L的L-Cys溶液形成的自组装膜缓蚀性能最好，即膜最致密，质量最高。
b.交流阻抗谱
腐蚀电位下空白铜电极在0.5mol/L的NaCl溶液中的Nyquist阻抗谱(参见文献[3]图2 图3 覆盖不同浓度的L-Cys的铜电极Nyquist阻抗图