陶瓷基上化学镀铜的研究
日期:2012-11-05 10:48
38.3 36.9 15.9
3 6311.7 52.5 20.9
4 5712.1 47.5 18.7
表2 不同温度下的沉铜速率 mg/cm2h
温度(℃) 35 40 45 50 55 60 65 70
1 6.36 8.58 10.91 12.06 12.55 15.80 19.49 24.78
2 4.57 5.81 7.54 9.58 11.82 13.33 17.12 18.36
3 1.69 2.31 3.06 3.53 5.53 8.17 9.12 11.59
4 1.39 1.58 1.79 3.06 3.53 4.14 6.55 8.08
表2表示在不同温度下的铜沉积速率。一般来说,活化能越小,沉积率应该越大。表2结果基本上符合这一规律。但从表2也发现Ea3Ea4而34。这是因为:
3=A[a,a-联吡啶]fexp(-Ea3/RT)=e20.9exp(-52475/RT)
4=A[K4F
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