日期:2012-11-15 10:52
流)的相对大小。离子源功率大些，离子源工作电压下降少些，磁控源电压下降多些，反之亦然。 Fig.5 中的阴影部分反映了等离子体的耦合程度。在工件或真空室壁附近，等离子体已近完全融合，电位一致，阴影宽度窄;分别在离子源和磁控靶面附近，等离子体远离基本没有融合，电位差很大，阴影宽度大。
对于中频磁控溅射系统，由于其电极接线，与气体离子源电极接线完全隔离，等离子体耦合的强度相对弱些。然而，与气体离子源等离子体的相互作用的基本趋势和规律完全类似。
在同一气离溅射镀膜系统上，将气体离子源布气方向转离开磁控溅射靶的