日期:2012-11-15 10:52
空间距离和被镀工件的阻隔，已经不能在磁控靶面上产生明显的毒化作用。这一机制使得工件膜层要求得到充分反应( stoichiometry )，而磁控靶面又要求较低可控的毒化程度之间的矛盾，可以通过磁控靶和离子源电源相对独立地控制设定加以解决，根本性地改善了磁控溅射反应离子镀膜的不可控性。
在最新开发的 AS6D4B 3G 型计算机自动控制离子镀膜设备上配置了二对非平衡闭合磁场对靶结构的磁控溅射源，由中频电源驱动。一个矩形气体离子源安置在二对磁控溅射源之间靠近前门的位置，便于日常维护清理，由逆变直流电源驱动。被镀工件则装卡在吊