日期:2012-11-15 10:52
吊杆上，从磁控对靶中间自公转地移动通过( Fig.6 )。在 AS6D4B 3G 型镀膜机上采用空分气离溅射技术后，自动镀膜过程的控制稳定性、重复性和一致性得到了很好地确认，真空镀膜过程的控制窗口变得很宽，类似于大家熟悉的阴极电弧真空离子镀膜的效果。
4. 离子镀制 TiN 的试验和分析
4.1. 直流气体离子源和直流磁控溅射对靶
在直流气体离子源增强直流磁控溅射对靶系统上，采用空分气离溅射技术可以镀制出 TiN 膜层， Hv 达到 2000 以上。但是，所镀 TiN 膜层的色泽偏浅黄(达不到装饰镀的要求)。原因是直流磁控溅射靶的抗毒化能力弱，在