气离溅射离子镀制氮化钛技术
日期:2012-11-15 10:52
吊杆上,从磁控对靶中间自公转地移动通过( Fig.6 )。在 AS6D4B 3G 型镀膜机上采用空分气离溅射技术后,自动镀膜过程的控制稳定性、重复性和一致性得到了很好地确认,真空镀膜过程的控制窗口变得很宽,类似于大家熟悉的阴极电弧真空离子镀膜的效果。
4. 离子镀制 TiN 的试验和分析
4.1. 直流气体离子源和直流磁控溅射对靶
在直流气体离子源增强直流磁控溅射对靶系统上,采用空分气离溅射技术可以镀制出 TiN 膜层, Hv 达到 2000 以上。但是,所镀 TiN 膜层的色泽偏浅黄(达不到装饰镀的要求)。原因是直流磁控溅射靶的抗毒化能力弱,在
17/26 下一页 上一页 首页 尾页
返回 |  刷新 |  WAP首页 |  网页版  | 登录
07/09 17:18