日期:2012-11-15 10:52
磁控靶工作参数长时间维持不变时，靶面情况会缓慢恶化(毒化)。为避免上述情况，氮气进气量只能控制在偏少的条件下。镀制 TiN 的试验说明这一系统虽然改善了磁控溅射反应镀膜的效果，但是进行长时间的稳定镀膜仍不理想。
4.2 直流气体离子源增强中频磁控溅射对靶镀制 TiN
由于中频电源驱动的磁控溅射对靶可以大大改善磁控靶面的抗毒化能力，只在工件上直接施加负偏压就可以进行 TiN 镀膜。但是，镀膜过程的控制仍然困难，控制窗口仍然较窄。采用中频磁控溅射对靶结合直流气体离子源后，彻底地提高了空分气离溅射反应离子镀膜的稳定性：