日期:2012-11-15 10:52
控溅射一般被认为是一种工作稳定、沉积速率和镀膜均匀性容易控制、简单理想的金属蒸发靶源 [1-5] 。将磁控溅射技术应用到化学反应离子镀膜上，由于反应性气体在工件表面反应成膜的同时，也会在磁控靶表面产生化学反应 ---- 靶面毒化，使得靶面上金属粒子的蒸发速率大幅度降低，反应气体相对富余，进一步恶化磁控靶面的毒化，形成一种正反馈式的雪崩过程，极不稳定。由于靶面毒化滞后恢复的( hysteresis )机理，上述过程一旦发生又不能简单地逆向调整进行恢复，使得镀膜所需要反应气体和金属粒子的比例无法长时间稳定维持。一般认为反应