日期:2012-11-15 10:52
磁控溅射离子镀膜过程的可控窗口很窄，几乎无法进行工业上的生产应用 [6-7] 。
为了克服难题，前人已经采取了一系列措施，在减少靶面毒化和增强反应活性两方面取得了局部的进展：( a )增大真空抽气系统，保证在镀膜过程中，富余的反应气体能够及时排出 [1,4,8] ，减慢雪崩过程的速度，以便及时相应调整;( b )采用非平衡闭合磁场磁控溅射对靶的布置结构，增加镀膜区域内的等离子体密度 [9,10] 。由于磁控溅射能够产生的离子数量有限，故对于反应活性的改善程度也有限;( c )增大磁控靶到工件的距离 [11] ，使得被镀工件上的沉积速率降低