日期:2012-11-15 10:52
个极端非平衡严重毒化的磁控靶主要用于产生反应气体离子。两边分别产生的等离子体汇聚增强，在工件表面上生长出好的反应膜层 [6] 。
在上述主动控制技术取得进展的同时，人们也在探索实时监测与反馈快速控制技术：( f )引入等离子体荧光监测( PEM )，及时掌握真空室中金属或反应气体的数量，快速反馈控制反应气体进气量，以达到金属和反应气体粒子在工件表面上的适当比例 [18-20] 。该技术会导致监测和快速控制系统的复杂化和成本的极大提高，而且也无法应用到多对磁控靶的系统上。因为各个磁控溅射源的工作状况不可能完全一致，使得调