日期:2012-11-15 10:52
调整单一反应气体进气量的方式无法实施。( g )检测磁控靶工作电压判断磁控靶的毒化程度，以间接确定金属粒子的溅射速率，进而快速控制反应气体进气量 [21,22] 。该方法只适用于靶面毒化与工作电压变化关系明显的镀膜过程，对于其他镀膜(如 TiN )则无能为力。( h )有人也考虑采用残留气体分析技术( RGA )，测量反应气体分压强。但是 RGA 的工作真空环境与磁控溅射的镀膜真空相差太大，难以在线实时进行。
2. 矩形气体离子源
根据反应离子镀技术理论， 1(e) 中描述的方法具有突破意义。在磁控溅射产生的金属离子密度难以大幅度增加的情