日期:2012-11-15 10:52
况下，可以离化反应气体，增强气体粒子的活性。在相同的反应镀膜情况下，反应气体的进气量就可能相应减少，有利于降低磁控靶面毒化的程度，展宽反应溅射镀膜过程的控制窗口。因此，人们开始采用气体离子源( GIS )产生反应气体等离子体，代替 1(e) 中提到的深度毒化非平衡磁控源。为了和磁控溅射系统完全兼容地工作，气体离子源应满足以下技术条件：
无灯丝、无空心阴极、无热阴极、无栅极，气体离子源上不产生金属溅射污染。绝缘性能强、使用寿命长、极少维护需要;
矩形结构，与矩形磁控溅射源尺寸完全匹配，并向真空室镀膜区域均匀布