日期:2012-11-28 10:44
摘要：本文综述了铜工艺即将面临的各种变化，包括扩散阻障层(barrier)、电镀添加剂、覆盖层以及与多孔超低k电介质之间的整合等。
随着半导体向45nm工艺的深入发展，铜工艺技术不可避免地要发生一些变化。TaN扩散阻障层物理气相沉积(PVD)技术可能将被原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)技术所取代，之后可能还会引进钌阻障层技术。钌阻障层技术不再需要电镀种子层，但是其发展状况将取决于研究结果的进展程度。
电镀槽中的有机添加剂也可能会有所变化，因为有些添加剂最终会被包埋在铜中。尽管有机添加剂的使用可以使沉积得到