日期:2012-11-28 10:44
究工作取得了很大进展，已经接近可用于实际生产的水平。
ALD TaN是研究重点。ALD TaN的材质与目前使用的PVD TaN薄膜基本相同。但是，PVD TaN实际上是氮掺杂的Ta，其组成为TaN0.5，电阻率小于200 u-cm，ALD TaN的组成才真正是TaN。TaN之所以能起到扩散阻障层的作用是因为它具有高含氮量和无定形结构。然而，TaN沉积时通常采用有机金属前体，因此残留在薄膜内部的碳也是一个问题。根据所用前体的不同，含碳量分布范围为2 at%到10 at%。当含碳量为~10 at%时，膜的组成为TaN0.9C0.1，电阻率高达1u-cm，以至于不能被人们接受。van den Hoe