日期:2012-11-28 10:44
k说：使用有机金属前体时很难完全去除碳杂质。但是，你可以采用一些特殊方法故意在TaN膜里掺入大量的碳，得到氮掺杂的碳化钽(TaC0.4N0.6)，其电阻率为~250 u-cm。用于铜阻障层ALD沉积的有机金属前体有好几种，例如TBTDET (tert-buthylimidotrisdiethyl- amidotantalum)。
从整合的观点来看，ALD TaN是最直接和最简单的方法，因为它涉及到的材料改变是最少的。Lee评论说，ALD TaN薄膜的实验结果显示它能有效减小导线电阻。目前正在进行的工作是对工艺整合进行认证，使其达到可靠性的要求。
用钌解决阻障层和种子层的所有问题?
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