日期:2012-11-28 10:44
D工艺沉积铜电镀种子层时很有意思：首先，种子层必须足够薄，这样才可以避免在高纵宽比结构上沉积铜时出现顶部外悬结构，防止产生空洞;但是它又不能太薄。
目前正在评估的一个解决办法是将铜直接镀在扩散阻障层上。其中，尤其是用钌作为阻障层具有很好的前景。钌不仅有可能取代扩散阻障层常用的Ta/TaN两步工艺，而且还能同时取代电镀种子层。由于钌是导体，因此铜可以直接电镀在上面。van den Hoek介绍说：钌是令人非常感兴趣的材料，因为它是一种准贵金属。钌不容易被氧化，但是即使被氧化了，生成的氧化钌也是导体。钌的另外一个好处