半导体电镀中45nm铜工艺面临的挑战
日期:2012-11-28 10:44
是它能够在标准电镀液中进行铜电镀反应。采用现有电镀液在钌上电镀时,其表现与在铜上面电镀时完全一样。
但是,根据Lee的观点,目前还存在一些问题需要解决。用~100A钌取代~1200A铜种子层时,由于厚度和电阻率的变化,种子层表面电阻提高了~100倍。此外,还需要重新认证电镀均匀性和成核特性。他说:器件可靠性很大程度上取决于界面性质和品质。为了达到SM和EM的严格要求,还需要对钌沉积膜的成分、形态、附着性等进行进一步优化。
65 nm以下工艺时,在很薄的种子层上进行铜电镀会出现一些关键性问题。Applied Maeterials公司平坦化
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