日期:2012-11-28 10:44
和电镀产品部副总裁兼总经理Russell Ellwanger说：我们发现电镀刚开始时的几秒钟可以决定是否能够成功地完成整个铜电镀过程。通过晶片浸入角度的控制使种子层被均匀润湿是非常重要的一步，它能消除浸入过程中产生的一些缺陷或是被吸附在上面的微小气泡。同样，晶片上的缺陷状况也变得非常重要。铜电镀工艺产生的某些缺陷，特别是电镀刚开始几秒钟内形成的缺陷，在后续平坦化工艺中是不能(或很难)被磨掉的，最终会影响产品良品率。
至于用一层钌薄膜同时取代扩散阻障层和电镀种子层的设想仍然存在一些问题。van den Hoek说：曾经有段时间