日期:2012-11-28 10:44
附着性提出了疑问，担心在一些薄弱点会引起电致迁移孔洞和电路失效问题。
抑制、促进和平坦化试剂
电镀工艺的主要目的是在晶片上镀上一层致密、无孔洞、无缝隙和其它缺陷、分布均匀的铜。此外，它还有其它一些要求，例如在对大尺寸、空旷区结构进行填充的同时，能够对密集区、高纵宽比结构和微通孔等进行填充。当然，我们还希望电镀后表面能够尽可能平坦，减少后续CMP工艺的问题，其中最显著的是凹坑和腐蚀问题(图3)。Ellwanger说：因为填充表现很大程度上取决于电镀液的化学反应，因此保持每片晶片电镀时化学环境的稳定性非常重要。但是