半导体电镀中45nm铜工艺面临的挑战
日期:2012-11-28 10:44
氯化物混合物,它会吸附在铜表面,降低电镀反应电化学反应势,促进快速沉积反应。
问题是填充过程完成后促进剂不能自动停止作用,而是漂浮在铜表面继续促进铜沉积反应。由于狭窄、密集结构的填充速度比宽阔、空旷结构快,因此会引起密集区过度电镀,给CMP带来额外负担的问题。解决办法是添加第三种添加剂:引起促进剂分解反应的平坦化试剂。这种添加剂的使用效果很好,唯一的问题是与促进剂不同它会被包埋在铜里面。van den Hoek说:为了解决过度电镀的问题,我们使用了较高浓度的平坦化试剂,但是其缺点是加重了铜污染。好消息是人们已
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