日期:2012-11-28 10:44
的铜填充没有任何缝隙，同时在密集区不会产生沉积过度的情况，因此不会给CMP带来额外负担，从而减小了CMP难度，但是包埋在铜里的杂质会提高电阻系数，并且使铜在退火时不太容易形成大金属颗粒。
铜工艺也有电致迁移这个严重的可靠性问题，它通常发生在铜导线顶部与电介质相接的交界处。可能的解决办法是在铜表面选择性地沉积上一层钴钨磷化物(cobalt tungsten phosphide，CoWP)或钴钨硼化物(cobalt tungsten boride，CoWB)，最终取代Si(C)N覆盖层，使铜原子迁移受到限制。
金属颗粒边界、缺陷和表面造成的电子散射问题也会逐渐突显出来