日期:2012-11-28 10:44
铝更好的抗电致迁移能力。但是，当铜制程出现以后，结果恰恰相反，至少对于小尺寸结构来说是这样的。
铜的电致迁移是一种表面现象，发生在铜原子能够自由移动的地方(通常是铜和其它材料之间附着性较差的界面处)。在目前的双嵌入式结构中，电致迁移最常发生的地方是铜导线上部与SiC等电介质层相交接的地方。Lee指出，如果你未能正确处理这些界面，那么它将是一个薄弱点。这个薄弱点会引起链式反应，铜原子移走后突然形成一个孔洞，造成电致迁移失效。与铝不铜，铜导线越小越细，问题越大。
解决办法之一是对铜表面进行处理，改善铜与SiC之