日期:2012-11-28 10:44
之间的附着性。通常该方法会用到SiC沉积工艺中的硅甲烷(Silane)。硅甲烷不容易受控制，因为它会穿透到铜里面，使电阻率变大。另外一个方法是在铜表面上选择性地沉积一层含钴的薄膜，通常是CoWP或CoWB。该方法效果很好，抗电致迁移能力可以提高10倍以上。但是该工艺仍然存在一些问题有待解决：1)表面平坦度被改变了，除非CMP后先对铜进行recess处理;2)多了额外一步工艺，增加了成本;3)这是一道选择性工艺，特殊情况下可能会比较棘手，例如当有些铜残留物留在电介质空旷区时。用CoWP对铜表面进行覆盖的实验结果显示器件可靠性得到了改善，而