半导体电镀中45nm铜工艺面临的挑战
日期:2012-11-28 10:44
且还能提高65 nm器件的性能(CoWP覆盖层的增加可以显著提高电流密度)。IC制造商希望能够在45 nm工艺时取消蚀刻停止层，降低有效介电常数k值。沉积溶液供应商Blue29公司CTO Igor Ivanov说。

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