日期:2012-11-28 10:44
，因为导线尺寸很小时电子散射效应会使电阻升高。解决办法包括增大金属颗粒、减少缺陷数量和增加金属表面光滑度等。
当然，我们还需要将铜和多孔超低k介电材料整合在一起，该需求会进一步增加铜工艺的复杂度。其中一个问题是这些多孔材料需要一些孔洞密封工艺，人们对其与沉积在上面的扩散阻障碍层之间的相互作用感到担心，不知道两者之间是否能够相互兼容。
铜工艺基础
自1990年代中期IBM、Intel、AMD和其他IC制造商决定用铜制工艺取代铝工艺以来，铜工艺的主要优点基本保持不变。铜电阻较小，具有更好的导电性，这意味着内连接导线在